近日,由国家电动汽车第三方智库——中国电动汽车百人会主办,以“提升核心技术、创新引领发展”为主题的2017电动汽车百人会论坛在北京举行。在这场盛会中,中车时代电动母公司——中车株洲所展示了自主研发的、具有国际先进水平的汽车级功率半导体产品,该产品将引领电动汽车的又一次革命。
小模块 大革命
中国工程院院士,中车株洲所董事长丁荣军在15日本次活动《核心技术与关键零部件暨新能源汽车小镇论坛》主题峰会上发表主旨演讲。丁荣军院士表示:“中车株洲所除了继续深入IGBT产业,也早已布局电动汽车下一代“宽禁带半导体SiC电力电子器件”(以下简称SiC器件),前瞻未来趋势。加快SiC器件产业化进程,真正实现“中国芯”引领全球电动汽车产业发展。”
SiC芯片
SiC器件在电动汽车上的产业化应用,这能使电动汽车的“心脏”再一次升级,意味着电动汽车的又一次革命。
相比于目前电动汽车应用的IGBT,采用SiC器件的电驱动控制器,开关频率可高达20kHz,相当于一秒钟开关20万次;并且控制器体积和重量减少三分之一以上。SiC器件控制器工作温度可高达200℃结温,比现有IGBT能够提升10%以上。对于整车来说,既能提高动力性能又能提高续航里程。
至高点 破垄断
以SiC器件为代表的宽禁带半导体在电动汽车上的应用,已然成为全球趋势,但目前真正掌握其核心技术的企业寥寥无几,SiC器件芯片、封装等关键技术长期被国外少数企业垄断。
中车株洲所凭借在轨道交通领域50余年的技术积累和产业创新,功率半导体器件技术水平、产品品质、产业规模已实现国内领先并进入世界先进行列。是国内唯一、全球少数具备IGBT及SiC器件完整产业的企业,拥有“设计—制造—封装”完整产业链,彻底打破了国外对该领域的垄断局面。
作为中车株洲所子公司——中车时代电动SiC器件应用在电动汽车上,拥有得天独厚的优势,其已经有了初步成果,将继续做进一步的项目应用。
当前,我国新能源汽车发展进入了快速成长期,新能源汽车的产销量屡创新高,我国已成为全球最大的电动汽车市场。推动行业发展,既需要好的政策支持和产业生态,也需要进一步实现技术突破和创新引领。作为中国最早参与电动汽车核心技术研发的企业,中车株洲所、中车时代电动将不断致力于推动电动汽车核心技术的发展,真正实现关键技术上的全球引领。
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